檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "Thin film".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="葉文昌"
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本研究成功以蔽蔭遮罩圖案化製程製作多晶矽薄膜電晶體和多晶矽反相器,所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為30和80 μm,載子移動率分別為12.19和6.5 cm2/V-s,ION/IOFF…
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性,並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現,雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm,並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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本研究成功利用蔽蔭遮罩圖案化製程與固相結晶法於不鏽鋼基板上製作出多晶矽薄膜電晶體,所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為25和100 μm,載子移動率分別為1.4和0 cm2/V-s,Ion…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…